Lapisan: 4
Permukaan akhir: ENIG
Bahan dasar: FR4
Lapisan Luar W/S: 9/4mil
Lapisan dalam W/S: 7/4mil
Ketebalan: 0.8mm
Minimal.diameter lubang: 0,2 mm
Proses khusus: Impedansi, setengah lubang
Lapisan: 6 Permukaan akhir: ENIG Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 4/4mil Lapisan dalam W/S: 4/4mil Ketebalan: 1.2mm Minimal.diameter lubang: 0,2 mm Proses khusus: Impedansi, setengah lubang
Lapisan: 4 Permukaan akhir: LF-HASL Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 9/6mil Lapisan dalam W/S: 9/5mil Ketebalan: 0.8mm Minimal.diameter lubang: 0,3 mm Proses khusus: setengah lubang
Lapisan: 4 Permukaan akhir: ENIG Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 4/3mil Lapisan dalam W/S: 6/4mil Ketebalan: 0.8mm Minimal.diameter lubang: 0,2 mm Proses khusus: setengah lubang
Lapisan: 4 Permukaan akhir: ENIG Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 8/4mil Lapisan dalam W/S: 8/4mil Ketebalan: 0.6mm Minimal.diameter lubang: 0,2 mm Proses khusus: setengah lubang
Lapisan: 4 Permukaan akhir: ENIG Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 6/4mil Lapisan dalam W/S: 6/4mil Ketebalan: 0,4 mm Minimal.diameter lubang: 0.6mm Proses khusus: Impedansi, setengah lubang
Lapisan: 2 Permukaan akhir: LF-HASL Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 9/5mil Ketebalan: 1.6mm Minimal.diameter lubang: 0,4 mm Proses khusus: setengah lubang
Lapisan: 8 Permukaan akhir: ENIG Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 4/3mil Lapisan dalam W/S: 5/4mil Ketebalan: 1.6mm Minimal.diameter lubang: 0,2 mm
Lapisan: 4 Permukaan akhir: ENIG Bahan dasar: FR4 Lapisan Luar W/S: 4/4mil Lapisan dalam W/S: 4/4mil Ketebalan: 0.8mm Minimal.diameter lubang: 0,15mm
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644